Пластина изготовлена из чистого кремния (Si).Обычно пластины делятся на 6-дюймовые, 8-дюймовые и 12-дюймовые, и производятся на их основе.Кремниевые пластины, изготовленные из полупроводников высокой чистоты с помощью таких процессов, как вытягивание и нарезка кристаллов, называются пластинами, потому чтоиспользуйте они круглой формы.На кремниевых пластинах можно обрабатывать различные структуры элементов схемы, чтобы получить изделия с особыми электрическими свойствами.функциональные продукты на интегральных схемах.Пластины проходят серию процессов полупроводникового производства, образуя чрезвычайно маленькие схемные структуры, а затем разрезаются, упаковываются и тестируются в чипы, которые широко используются в различных электронных устройствах.Пластинчатые материалы претерпели более 60 лет технологической эволюции и промышленного развития, сформировав промышленную ситуацию, в которой доминирует кремний и дополняется новыми полупроводниковыми материалами.
80% мобильных телефонов и компьютеров в мире производятся в Китае.Китай полагается на импорт 95% своих высокопроизводительных чипов, поэтому каждый год Китай тратит 220 миллиардов долларов США на импорт чипов, что вдвое превышает ежегодный импорт нефти в Китай.Также блокируется все оборудование и материалы, связанные с фотолитографическими машинами и производством чипов, такие как пластины, металлы высокой чистоты, травильные машины и т. д.
Сегодня мы кратко поговорим о принципе стирания ультрафиолетом вафельных аппаратов.При записи данных необходимо ввести заряд в плавающий затвор, подав на затвор высокое напряжение VPP, как показано на рисунке ниже.Поскольку инжектируемый заряд не имеет энергии, чтобы проникнуть через энергетическую стенку пленки оксида кремния, он может только поддерживать статус-кво, поэтому мы должны придать заряду определенное количество энергии!В этом случае необходим ультрафиолет.
Когда плавающий затвор подвергается ультрафиолетовому облучению, электроны в плавающем затворе получают энергию квантов ультрафиолетового света, и электроны становятся горячими электронами с энергией, позволяющей проникнуть через энергетическую стенку пленки оксида кремния.Как показано на рисунке, горячие электроны проникают в пленку оксида кремния, перетекают к подложке и затвору и возвращаются в стертое состояние.Операцию стирания можно выполнить только под воздействием ультрафиолетового излучения, и ее нельзя стереть электронным способом.Другими словами, количество бит можно изменить только с «1» на «0» и в обратную сторону.Другого пути, кроме как стереть все содержимое чипа, нет.
Мы знаем, что энергия света обратно пропорциональна длине волны света.Для того чтобы электроны стали горячими электронами и, таким образом, имели энергию для проникновения в оксидную пленку, очень необходимо облучение светом с более короткой длиной волны, то есть ультрафиолетовыми лучами.Поскольку время стирания зависит от количества фотонов, время стирания невозможно сократить даже на более коротких длинах волн.Обычно стирание начинается, когда длина волны достигает около 4000 А (400 нм).В основном он достигает насыщения около 3000А.Ниже 3000 А, даже если длина волны короче, это не окажет никакого влияния на время стирания.
Стандартом УФ-удаления обычно является прием ультрафиолетовых лучей с точной длиной волны 253,7 нм и интенсивностью ≥16 000 мкВт/см².Операция стирания может быть завершена при времени воздействия от 30 минут до 3 часов.
Время публикации: 22 декабря 2023 г.